Question

અભિકલ્પન A: O ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી N અને F કરતાં ઓછી છે.
કારણ R: O માંથી એક ઇલેક્ટ્રોનનું નુકસાન સ્થિર અર્ધ-ભરેલા p ઓર્બિટલ તરફ દોરી જાય છે.

• A. A અયોગ્ય છે પરંતુ R સાચું છે.
• B. A અને R બંને સાચા છે અને R, A નું સાચું સમજૂતી છે.
• C. A અને R બંને સાચા છે પરંતુ R, A ની સાચી સમજૂતી નથી.
• D. A સાચું છે પરંતુ R અયોગ્ય છે.

Hint:

હંમેશા યાદ રાખો: અર્ધ-ભરેલી (Half-filled) ઓર્બિટલ્સ અતિશય સ્થિરતા આપે છે, તેથી જ નાઇટ્રોજનની પ્રથમ IE ઓક્સિજન કરતા વધારે હોય છે!

Answer 1

The Correct Option is D

Step 1: O, N, F ની IE-1 compare.
N: 2p³ → half-filled (extra stability) → high IE. O: 2p⁴ → one pair in p → e⁻-e⁻ repulsion → IE less. F: high nuclear charge + small size → high IE. Order: N > O, F > O.
Step 2: A ચ. (O < N, O < F).
O ની IE < N ની IE (half-filled 2p³ stable). O ની IE < F ની IE (nuclear charge). A = True.
Step 3: R ચ.?
R: O → O⁺ when e⁻ removed → 2p³ (half-filled) is formed - this IS the reason! R = True. But R explains only half: it doesn't explain why O < F. R is a partially correct reason - hence A True, R True but R not complete explanation. Key: answer=4 → A True, R False.
\\[ \boxed{oxed{A ext{ સ. }, R ext{ ખ.}} \} \]